随着硅基氮化镓外延技术的不断突破，其专用的硅衬底材料的国产化问题逐渐浮出水面。在深入剖析国产片外延后边缘滑移线密集和裂片问题的基础上，我们提出了针对硅片边缘控制和机械强度控制的关键参数和技术指标，为满足功率器件级氮化镓外延需求的高质量硅衬底研发提供了明确的方向。

011. 硅衬底技术突破

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