硅衬底技术突破推动氮化镓在外延领域的国产化发展 随着硅基氮化镓外延技术的不断突破,其专用的硅衬底材料的国产化问题逐渐浮出水面。在深入剖析国产片外延后边缘滑移线密集和裂片问题的基础上,我们提出了针对硅片边缘控制...